[发明专利]半导体基底结构及半导体装置有效
| 申请号： | 201711164274.4 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109545853B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 迪瓦;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊;郭晓宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例揭示一种半导体基底结构，包含半导体基底，具有第一导电类型，第一埋藏井区设置于半导体基底内，具有与第一导电类型相反的第二导电类型，以及第一埋层和一第二埋层设置于半导体基底内和第一埋藏井区上，其中第一埋层具有第二导电类型，第二埋层具有第一导电类型，且第一埋层具有第一部分和第二部分，第二埋层位于第一部分和第二部分之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基底 结构 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基底结构，其特征在于，包括：一半导体基底，具有一第一导电类型；一第一埋藏井区，设置于该半导体基底内，具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型；以及一第一埋层和一第二埋层，设置于该半导体基底内和该第一埋藏井区上，其中该第一埋层具有该第二导电类型，该第二埋层具有该第一导电类型，且该第一埋层具有一第一部分和一第二部分，该第二埋层位于该第一部分和该第二部分之间。
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