[发明专利]一种金属氧化物及其制备方法、QLED器件有效
| 申请号： | 201711163222.5 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109817839B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 王宇;曹蔚然 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种金属氧化物及其制备方法、QLED器件，所述金属氧化物的化学式为A |
||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 及其 制备 方法 qled 器件 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物，其特征在于，所述金属氧化物的化学式为A(1‑x)MxBO3；其中，A为金属元素Ca、Sr和Ba中的一种或多种，且B为金属元素Ti、Zr和Sn中一种或多种，M代表外层电子结构为(n‑1)d5ns2的金属元素，0<x<1。
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