[发明专利]一种具有非易失性的频率可调微波器件有效
申请号: | 201711156793.6 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN107910440B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 赵巍胜;魏家琦;张雨;曹凯华 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L43/02;H01L43/08 |
代理公司: | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人: | 王顺荣;唐爱华 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种具有非易失性的频率可调微波器件,其核心单元从下到上可以是由底端电极,反铁磁金属混合层,第一铁磁金属,氧化物,第二铁磁金属,第一金属,阻变材料,第二金属及顶端电极共九层构成;还包含一系列电子元器件:T型偏置器、脉冲发生器、直流电压、低噪声功率放大器;该微波振荡器件通过Voff和V1、V2、V3……等一系列电压脉冲用于开关输出信号以及对微波输出频率进行调节。本发明既可以输出不同频率的微波信号,又可以存储频率信息,具有非易失性。本发明可以将存储于阻变存储单元中的信息通过STNO以微波的形式进行传输。可用于数据的存储及传送。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 非易失性 频率 可调 微波 器件 | ||
【主权项】:
1.一种具有非易失性的频率可调微波器件,其核心单元的结构特点是将RRAM的MIM存储单元和STNO的MTJ微波发生单元堆叠在一起;所述的RRAM的MIM存储单元的结构由上至下为“第二金属/阻变材料/第一金属”;所述的STNO的MTJ微波发生单元结构为“第二铁磁金属/氧化物/第一铁磁金属/反铁磁金属混合层”;其特征在于:所述的频率可调微波器件的核心单元从下到上是由MTJ‑MIM构成,即厚度为10~200nm的底端电极,厚度为0~20nm的反铁磁金属混合层,厚度为0~3nm的第一铁磁金属,厚度为0~2nm的氧化物,厚度为0~3nm的第二铁磁金属,厚度为0~100nm的第一金属,厚度为0~100nm的阻变材料,厚度为0~100nm的第二金属及厚度为10~200nm的顶端电极共九层构成;所述的频率可调微波器件还包含一系列电子元器件:T型偏置器用于分离电路中的直流偏置信号和高频交流输出信号;脉冲发生器用于在第一金属和第二金属两端施加不同大小的电压脉冲来调节存储单元的电阻,进而调节输出信号频率;直流电压用于为微波发生单元施加电压偏置,产生STT,进而驱动其运作;低噪声功率放大器用于对输出信号进行功率放大。
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