[发明专利]一种降低逻辑器件金属突出缺陷的方法

摘要

本发明提供了一种降低逻辑器件金属突出缺陷的方法，应用于堆栈式CMOS传感器中，其中，具体包括以下步骤步骤S1、提供一衬底，衬底上包括第一金属层以及位于第一金属层上的一第一介质层，第一介质层中包括一金属结构；步骤S2、于第一介质层的顶部形成一生长温度低于氮化硅生长温度的第二介质层。其技术方案的有益效果在于，通过将金属结构上的介质层替换为生长温度低于氮化硅生长温度的第二介质层后，可以有效的减少因为在金属结构的顶部形成介质层导致出现更多的金属突出的问题。

主权项

一种降低逻辑器件金属突出缺陷的方法，应用于堆栈式CMOS传感器中，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤S1、提供一衬底，所述衬底上包括第一金属层以及位于所述第一金属层上的一第一介质层，所述第一介质层中包括一金属结构；步骤S2、于所述第一介质层的顶部形成一生长温度低于氮化硅生长温度的第二介质层。