[发明专利]一种用于标定3D NAND产品位线短接缺陷的方法有效
| 申请号： | 201711139435.4 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108037431B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 汤光敏;张顺勇 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 11619 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于标定3D NAND产品位线短接缺陷的方法，所述方法包括如下步骤：通过电压‑电流测量确定位线结构中两根短接的位线；将所述位线结构从背面处理，减薄背面硅基层，直至栓塞层即将露出；研磨掉剩余的硅基层，露出栓塞层；跟踪所述位线结构的版图走向，找出与所述两根短接的位线分别连接的栓塞层；在两个栓塞层上分别沉积金属盘；使用扫描近场光学显微镜的两个探针，分别扎在两个所述金属盘上，使用所述扫描近场光学显微镜的激光照射所述位线结构，抓取热点，并在所述热点附近打标记；在所述位线结构的背面二次研磨，直到将所述位线结构中的第一通孔磨掉，然后使用扫描电镜观察所述标记的附近区域，即可得到两根位线的短接位置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 标定 nand 品位 线短接 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于标定3D NAND产品位线短接缺陷的方法，其特征是，包含以下步骤：/n通过电压-电流测量确定位线结构中两根短接的位线；/n将所述位线结构从背面处理，减薄背面硅基层，直至栓塞层即将露出；/n研磨掉剩余的硅基层，露出栓塞层；/n跟踪所述位线结构的版图走向，找出与所述两根短接的位线分别连接的栓塞层；/n在两个栓塞层上分别沉积金属盘；/n使用扫描近场光学显微镜的两个探针，分别扎在两个所述金属盘上，使用所述扫描近场光学显微镜的激光照射所述位线结构，抓取热点，并在所述热点附近打标记；/n在所述位线结构的背面二次研磨，直到将所述位线结构中的第一通孔磨掉，然后使用扫描电镜观察所述标记的附近区域，即可得到两根位线的短接位置。/n
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