[发明专利]一种具有槽型氧化层和垂直缓冲层的RC-LIGBT

摘要

本发明涉及一种具有槽型氧化层和垂直缓冲层的RC‑LIGBT，属于半导体功率器件领域。该晶体管包括从左至右设置的发射极、栅极、N‑漂移区、槽型SiO2埋层、集电极。集电极包括左右设置的垂直缓冲层N‑buffer和具有空穴发射能力的垂直P集电极P‑Collector。在击穿时N‑漂移区中的槽型SiO2埋层将晶体管的表面电场引向体内，使得体内电场大大增强，从而提高了晶体管的击穿电压。本发明的击穿电压能达到342.4V，在正向导通IGBT模式下消除了snapback现象，提高了RC‑LIGBT的性能。

主权项

一种具有槽型氧化层和垂直缓冲层的RC‑LIGBT(Reverse‑Conducting Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,逆导型横向绝缘栅双极型晶体管)，其特征在于：包括从左至右设置的发射极(4)、N+源区(1)、P‑body区(5)、栅极(2)、栅氧化层(3)、N‑漂移区(6)、槽型SiO2埋层(12)、集电极(7)；集电极(7)包括从左至右设置的垂直缓冲层N‑buffer(8)和用于空穴发射的P集电极P‑Collector(9)；垂直缓冲层N‑buffer(8)的长度与N‑漂移区(6)中槽型SiO2埋层(12)的厚度一致，且将集电极P‑Collector(9)包围起来；集电极P‑Collector(9)与垂直缓冲层N‑buffer(8)之间形成了一个PN结，通过控制垂直缓冲层N‑buffer(8)的掺杂浓度调节PN结上的结电压VPN，从而控制晶体管的导电模式；N‑漂移区(6)下部为介质隔离层(10)和衬底(11)，介质隔离层(10)在衬底(11)之上，N‑漂移区(6)、介质隔离层(10)和衬底(11)组成SOI，即绝缘体上的硅结构。