[发明专利]一种具有槽型氧化层和垂直缓冲层的RC-LIGBT

权利要求书

1.一种具有槽型氧化层和垂直缓冲层的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管RC-LIGBT，其特征在于：包括从左至右设置的发射极、N+源区、P-body区、栅极、栅氧化层、N-漂移区、槽型SiO₂埋层和集电极；

集电极分别与从左至右设置的垂直缓冲层N-buffer和用于空穴发射的集电极P-Collector连接；垂直缓冲层N-buffer在漂移区中深度与槽型SiO₂埋层的厚度一致，且垂直缓冲层N-buffer将集电极P-Collector包围起来；集电极P-Collector与垂直缓冲层N-buffer之间形成了一个PN结；

N-漂移区下部为介质隔离层和衬底，介质隔离层在衬底之上，N-漂移区、介质隔离层和衬底组成SOI，即绝缘体上的硅结构；

所述晶体管在击穿时，N-漂移区中的槽型SiO₂埋层将晶体管的表面电场引向体内，使得体内电场大大增强，从而提高晶体管的击穿电压；

所述集电极P-Collector采用垂直型集电极P-Collector，在击穿耐压时，垂直缓冲层N-buffer终止体内横向电场，使得电场呈矩形分布，击穿电压进一步增加；

在反向导通时，垂直缓冲层N-buffer提供一个电子通道，使得晶体管能够逆向导通；

在正向导通时，垂直型集电极P-Collector与N-buffer之间形成一个PN结，通过控制N-buffer的掺杂浓度调节PN结上的结电压VPN，从而控制晶体管的导电模式。