[发明专利]基于阳极技术的DLC镀膜装置

摘要

本发明公开了一种基于阳极技术的DLC镀膜装置，包括真空腔、旋转工件架、旋转电弧靶、旋转磁控靶、进气系统、抽真空系统、加热系统和电源系统，所述真空腔接地，所述电源系统包括磁控溅射电源、电弧电源、偏压电源、第一接触器、第二接触器、第三接触器和第四接触器；偏压电源的阴极连接旋转工件架上工件，通过第一接触器连接偏压电源的阳极和旋转电弧靶，通过第二接触器连接偏压电源的阳极和旋转磁控靶；磁控溅射电源的阴极连接旋转磁控靶，通过第三接触器连接磁控溅射电源的阳极和旋转电弧靶；电弧电源的阴极连接旋转电弧靶，通过第四接触器连接电弧电源的阳极和旋转磁控靶。本发明可显著提高DLC镀膜工艺的稳定性和DLC镀膜产品的性能。

主权项

1.一种基于阳极技术的DLC镀膜装置，包括真空腔、旋转工件架、旋转电弧靶、旋转磁控靶、进气系统、抽真空系统、加热系统和电源系统，所述真空腔接地，其特征是：所述电源系统包括磁控溅射电源、电弧电源、偏压电源、第一接触器、第二接触器、第三接触器和第四接触器；其中：偏压电源的阴极连接旋转工件架上工件，通过第一接触器连接偏压电源的阳极和旋转电弧靶，通过第二接触器连接偏压电源的阳极和旋转磁控靶；磁控溅射电源的阴极连接旋转磁控靶，通过第三接触器连接磁控溅射电源的阳极和旋转电弧靶；电弧电源的阴极连接旋转电弧靶，通过第四接触器连接电弧电源的阳极和旋转磁控靶；当进行等离子刻蚀法清洗时，连通第二接触器和第四接触器，断开第一接触器和第三接触器；当进行磁控溅射法沉积金属过渡层时，连通第一接触器和第三接触器，断开第二接触器和第四接触器；当进行PaVCD法沉积DLC层时，连通第一接触器，断开第二接触器、第三接触器和第四接触器。