[发明专利]基于阳极技术的DLC镀膜装置有效

专利信息
申请号: 201711132455.9 申请日: 2017-11-15
公开(公告)号: CN107937877B 公开(公告)日: 2019-11-08
发明(设计)人: 王向红;黄志宏;郎文昌;高斌 申请(专利权)人: 温州职业技术学院
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32;C23C14/35;C23C14/50;C23C14/06
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 325035 浙江省温州市瓯海*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 接触器 旋转磁控靶 阳极 偏压电源 旋转电弧 阴极 磁控溅射电源 电弧电源 旋转工件架 电源系统 阳极技术 真空腔 抽真空系统 加热系统 进气系统 接地 上工件
【权利要求书】:

1.一种基于阳极技术的DLC镀膜装置,包括真空腔、旋转工件架、旋转电弧靶、旋转磁控靶、进气系统、抽真空系统、加热系统和电源系统,所述真空腔接地,其特征是:

所述电源系统包括磁控溅射电源、电弧电源、偏压电源、第一接触器、第二接触器、第三接触器和第四接触器;其中:

偏压电源的阴极连接旋转工件架上工件,通过第一接触器连接偏压电源的阳极和旋转电弧靶,通过第二接触器连接偏压电源的阳极和旋转磁控靶;

磁控溅射电源的阴极连接旋转磁控靶,通过第三接触器连接磁控溅射电源的阳极和旋转电弧靶;

电弧电源的阴极连接旋转电弧靶,通过第四接触器连接电弧电源的阳极和旋转磁控靶;

当进行等离子刻蚀法清洗时,连通第二接触器和第四接触器,断开第一接触器和第三接触器;

当进行磁控溅射法沉积金属过渡层时,连通第一接触器和第三接触器,断开第二接触器和第四接触器;

当进行PaVCD法沉积DLC层时,连通第一接触器,断开第二接触器、第三接触器和第四接触器。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于温州职业技术学院,未经温州职业技术学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711132455.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top