[发明专利]晶片蚀刻装置及其使用方法在审
| 申请号： | 201711128280.4 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109216227A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 尹炳文 | 申请（专利权）人： | 无尽电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 李波;但提提 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开涉及一种用于湿蚀刻晶片的晶片蚀刻装置，所述晶片蚀刻装置包括：至少一个光源，用于照射晶片；板，设置在晶片的下侧，并设置有至少一个光源；壁，设置在板上，将板分隔成内部空间；以及用于支撑晶片的支撑杆，其中能够调节至少一个光源的强度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 蚀刻装置 光源 照射晶片 支撑晶片 湿蚀刻 支撑杆 分隔 | ||
【主权项】：
1.一种用于湿蚀刻的晶片蚀刻装置，包括：至少一个光源，用于照射晶片；板，所述板设置在晶片的下侧，并设置有至少一个光源；壁，所述壁设置在所述板上，将所述板分隔成内部空间；和支撑杆，所述支撑杆用于支撑晶片，其中，至少一个光源的强度是可调节的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
