[发明专利]一种改善金属电容TDDB性能的方法有效
| 申请号： | 201711127709.8 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107895687B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 梁肖;孙琪;段新一 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种改善金属电容TDDB性能的方法，所述方法包括：对所述上电极进行蚀刻并清洗，暴露出部分介质层；进行合金化工艺，修复暴露出的部分介质层；形成一氮氧化硅层，所述氮氧化硅层覆盖所述上电极和所述暴露出的部分介质层；进行光刻；对所述下电极进行蚀刻并且清洗。本发明在传统工艺的基础上，通过增加合金化工艺，能够修复plasma对介质层的损伤，提高电介质的抗击穿性，从而提高TDDB性能，增加芯片的使用时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 金属 电容 tddb 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种改善金属电容TDDB性能的方法，所述金属电容包括相对设置的上电极、下电极以及位于上电极和下电极之间的介质层，所述方法包括：对所述上电极进行蚀刻并清洗，暴露出部分介质层；进行合金化工艺，修复暴露出的部分介质层；形成一氮氧化硅层，所述氮氧化硅层覆盖所述上电极和所述暴露出的部分介质层；进行光刻；对所述下电极进行蚀刻并且清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
