[发明专利]阴极隔离挡墙的制备方法、显示面板及其制备方法有效
申请号: | 201711124090.5 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN107910292B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 王治;杨盛际;卢鹏程 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;H01L27/32 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种阴极隔离挡墙的制备方法、显示面板及其制备方法,涉及光刻工艺技术领域,用于使蒸镀在该阴极隔离挡墙上的阴极层部分和蒸镀阳极层上的阴极层部分能够相互分离,提高阴极图形化效果。一种阴极隔离挡墙的制备方法,包括:首先,对形成在阳极层上的第一光刻胶层进行曝光得到第一隔离挡墙部分;其次,在第一光刻胶层远离阳极层的一侧形成第二光刻胶层,对第二光刻胶层进行曝光后得到与第一隔离挡墙部分至少部分层叠设置的第二隔离挡墙部分;最后,对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行显影,得到由第一隔离挡墙部分和第二隔离挡墙部分组成的阴极隔离挡墙。本发明主要用于制备阴极隔离挡墙。 | ||
搜索关键词: | 阴极 隔离 挡墙 制备 方法 显示 面板 及其 | ||
【主权项】:
一种阴极隔离挡墙的制备方法,其特征在于,包括:对形成在阳极层上的第一光刻胶层进行曝光得到第一隔离挡墙部分;在所述第一光刻胶层远离所述阳极层的一侧形成第二光刻胶层,对所述第二光刻胶层进行曝光后得到与所述第一隔离挡墙部分至少部分层叠设置的第二隔离挡墙部分,其中,所述第一隔离挡墙部分包括贴合于所述第二隔离挡墙部分的第一顶面,所述第二隔离挡墙部分包括贴合于第一隔离挡墙部分的第二底面,所述第一顶面在所述阳极层的正投影位于所述第二底面在所述阳极层的正投影内;对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层进行显影,得到由所述第一隔离挡墙部分和所述第二隔离挡墙部分组成的阴极隔离挡墙。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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