[发明专利]阴极隔离挡墙的制备方法、显示面板及其制备方法有效
申请号: | 201711124090.5 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN107910292B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 王治;杨盛际;卢鹏程 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;H01L27/32 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阴极 隔离 挡墙 制备 方法 显示 面板 及其 | ||
1.一种阴极隔离挡墙的制备方法,其特征在于,包括:
对形成在阳极层上的第一光刻胶层进行曝光得到第一隔离挡墙部分;
在所述第一光刻胶层远离所述阳极层的一侧形成第二光刻胶层,对所述第二光刻胶层进行曝光后得到与所述第一隔离挡墙部分至少部分层叠设置的第二隔离挡墙部分,其中,所述第一隔离挡墙部分包括贴合于所述第二隔离挡墙部分的第一顶面,所述第二隔离挡墙部分包括贴合于第一隔离挡墙部分的第二底面,所述第一顶面在所述阳极层的正投影位于所述第二底面在所述阳极层的正投影内;
对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层进行显影,得到由所述第一隔离挡墙部分和所述第二隔离挡墙部分组成的阴极隔离挡墙。
2.根据权利要求1所述的阴极隔离挡墙的制备方法,其特征在于,
所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层均为正性光刻胶层。
3.根据权利要求1所述的阴极隔离挡墙的制备方法,其特征在于,
所述第一隔离挡墙部分的高度大于所述第二隔离挡墙部分的高度。
4.根据权利要求1所述的阴极隔离挡墙的制备方法,其特征在于,
所述第一隔离挡墙部分的高度为1-2微米,所述第二隔离挡墙部分的高度为0.5-1微米。
5.根据权利要求4所述的阴极隔离墙的制备方法,其特征在于,
所述第一隔离挡墙部分的第一底面宽度为4-8微米,所述第二隔离挡墙部分的第二底面宽度为6-10微米。
6.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
对形成在阳极层上的第一光刻胶层进行曝光得到第一隔离挡墙部分;
在所述第一光刻胶层远离所述阳极层的一侧形成第二光刻胶层,对所述第二光刻胶层进行曝光后得到与所述第一隔离挡墙部分至少部分层叠设置的第二隔离挡墙部分,其中,所述第一隔离挡墙部分包括贴合于所述第二隔离挡墙部分的第一顶面,所述第二隔离挡墙部分包括贴合于第一隔离挡墙部分的第二底面,所述第一顶面在所述阳极层的正投影位于所述第二底面在所述阳极层的正投影内;
对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层进行显影,得到由所述第一隔离挡墙部分和所述第二隔离挡墙部分组成的阴极隔离挡墙。
7.一种显示面板,其特征在于,包括:
阳极层和多个阴极隔离挡墙,每个所述阴极隔离挡墙包括层叠设置的第一隔离挡墙部分和第二隔离挡墙部分,所述第一隔离挡墙部分设置于所述阳极层上,所述第二隔离挡墙部分设置于所述第一隔离挡墙背离所述阳极层的一侧,其中,所述第一隔离挡墙部分包括贴合于所述第二隔离挡墙部分的第一顶面,所述第二隔离挡墙部分包括贴合于第一隔离挡墙部分的第二底面,所述第一顶面在所述阳极层的正投影位于所述第二底面在所述阳极层的正投影内。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,
所述第一隔离挡墙部分和所述第二隔离挡墙部分包括正性光刻胶。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,
所述第一隔离挡墙部分的高度大于所述第二隔离挡墙部分的高度。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,还包括:
相邻两个所述阴极隔离挡墙之间具有间隙,每个阴极隔离挡墙上都依次设有第一有机功能层和第一阴极层,而相邻两个阴极隔离挡墙之间的所述阳极层区域上依次铺设有第二有机功能层和第二阴极层,其中,相邻的所述第一阴极层和所述第二阴极层相互分离。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,
多个所述第二阴极层分别对应于所述显示面板的多个位置,多个所述第二阴极层用于加载触控信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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