[发明专利]在GaAs衬底上制作p型掺杂ZnO纳米材料的方法在审
| 申请号： | 201711120860.9 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109778277A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 李晓莉 | 申请（专利权）人： | 大连智讯科技有限公司 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C25D5/54;C25D5/50;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 大连大工智讯专利代理事务所(特殊普通合伙) 21244 | 代理人： | 徐淑东;崔雪 |
| 地址： | 116000 辽宁省大连*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，提供一种在GaAs衬底上制作p型掺杂ZnO纳米材料的方法，包括：(1)GaAs衬底的预处理；第一步，利用甲苯进行超声振动清洗GaAs衬底，除去GaAs衬底上的油脂；第二步，用丙酮进行超声振动清洗GaAs衬底，除去GaAs衬底上残留的甲苯；第三步，再用无水乙醇进行超声振动清洗GaAs衬底，除去GaAs衬底上残留的丙酮；第四步，用冷去离子水冲洗8‑10遍；第五步，利用HF将GaAs表面进行刻蚀处理；第六步，再用冷去离子水冲洗8‑10遍；(2)利用电化学沉积方法制备ZnO纳米材料；(3)ZnO纳米材料的退火处理。本发明在GaAs衬底上制作了高性能的p型掺杂ZnO纳米材料。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 纳米材料 超声振动 清洗 冷去离子水 甲苯 丙酮 冲洗 制作 预处理 残留 半导体领域 电化学沉积 退火处理 无水乙醇 刻蚀 制备 | ||
【主权项】：
1.一种在GaAs衬底上制作p型掺杂ZnO纳米材料的方法，其特征在于，包括：(1)GaAs衬底的预处理：第一步，利用甲苯进行超声振动清洗GaAs衬底，除去GaAs衬底上的油脂，超声功率为60W，时间为5分钟；第二步，用丙酮进行超声振动清洗GaAs衬底，除去GaAs衬底上残留的甲苯，超声功率为60W，时间为5分钟；第三步，再用无水乙醇进行超声振动清洗GaAs衬底，除去GaAs衬底上残留的丙酮，超声功率为60W，时间为5分钟；第四步，用冷去离子水冲洗8‑10遍；第五步，利用HF将GaAs表面进行刻蚀处理；第六步，再用冷去离子水冲洗8‑10遍；(2)利用电化学沉积方法制备ZnO纳米材料：将含有锌源前驱体以及选择性含有的氧源的溶液与GaAs衬底接触，以在GaAs衬底上制得ZnO纳米材料，时间为30min；(3)ZnO纳米材料的退火处理：利用退火扩散技术对已经制备的GaAs衬底上的ZnO纳米材料进行了退火掺杂。
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- 刘润;陆可丹 - 浙江大学
- 2017-05-03 - 2018-11-20 - C25D9/04
- 本发明公开了一种通过阴极还原电沉积和化学沉积制备Cu2O/CuI电极的方法。该方法通过电沉积来制备Cu2O薄膜，再将Cu2O放入KI的弱酸性溶液中化学沉积一层CuI的方法得到Cu2O/CuI电极。本发明的特点是以阴极还原的方法于乳酸和Cu2+络合的碱性混合电解液中，在60℃下进行恒电位电沉积，较短时间内就可在ITO导电玻璃上得到具有金字塔状形貌的Cu2O薄膜电极。本发明使用的原料成本低廉，设备简单，操作简便快速，同时具有环境友好等优点。
- 一种基于电镀制备ZnO纳米阵列的方法-201710225739.6
- 高生平;华靖童;张迪;孙莉莉;李会;王清政;赵志刚 - 南京工业大学浦江学院
- 2017-04-07 - 2018-10-26 - C25D9/04
- 本发明公开了一种基于电镀制备ZnO纳米阵列的方法。本发明通过谷胱甘肽与金离子进行络合，在导电玻璃上沉积金纳米簇，然后利用沉积了金纳米簇的导电玻璃作为电极，对Zn2+进行电镀，制备得到排列整齐，分布均匀的ZnO纳米阵列。本发明方法克服了现有技术中ZnO排列难以控制、分布不均等缺陷。本发明可以有序控制ZnO纳米阵列的厚度，粒径，长度等，以得到符合预期结果的ZnO纳米阵列。ZnO纳米阵列在环境保护、节能、生物传感器等方面有着广泛的应用。因此，本发明对ZnO纳米阵列的制备及应用具有重大意义。
- 一种制备镧钙锰氧纳米线阵列的方法-201710323609.6
- 陈清明;杨盛安;张辉;刘翔;金菲 - 昆明理工大学
- 2017-05-10 - 2018-10-23 - C25D9/04
- 本发明公开一种制备镧钙锰氧纳米线阵列的方法，属于制备纳米材料技术领域；通过配套降压减薄工艺得到分布间距可控的阳极氧化铝模板之后辅以低压直流择优电沉积方法制备得到分布间距可控的镧钙锰氧纳米线阵列；该工艺突破了现有技术只能制备单一填充纳米线阵列的限制；丰富了镧钙锰氧纳米阵列作为微纳物理基础研究对象的磁学性能表现力，同时拓宽了其作为磁学器件的结构基础和性能基础。
- 一种用于分解水制氧的掺杂硫的Ni-Fe氢氧化物纳米薄膜催化剂的制备方法-201610333978.9
- 王增林;雷占武 - 陕西师范大学
- 2016-05-19 - 2018-10-23 - C25D9/04
- 本发明公开了一种用于分解水制氧的掺杂硫的Ni‑Fe氢氧化物纳米薄膜催化剂的制备方法，该方法以含有NiCl2、FeCl2、硫脲和聚乙二醇1000的水溶液为电沉积液，采用电沉积法在金属条或泡沫金属基板表面直接电沉积掺杂硫的Ni‑Fe氢氧化物纳米薄膜催化剂。本发明方法简单，成本低廉，所得催化剂用于催化水分解制氧，在较大电流密度下具有良好的降低电解水析氧过电势的功能，催化活性较高，且催化剂不易从基板表面脱落。
- 混合相态硫化钨修饰的氧化亚铜双层析氢光电极及制备-201611186402.0
- 陈莹;王玥 - 天津大学仁爱学院
- 2016-12-21 - 2018-10-09 - C25D9/04
- 本发明公开了一种混合相态硫化钨修饰的氧化亚铜双层析氢光电极及制备方法。该电极以FTO玻璃为基底，其上沉积氧化亚铜薄膜层，薄膜层的厚度为0.8‑1.0μm，该薄膜层之上是混合相态硫化钨薄膜层，混合相态是由2H‑WS2和1T‑WS2构成，该薄膜层的厚度为0.2‑0.4μm，两薄膜层的质量比为1:0.15～0.30。其制备方法包括，在FTO玻璃上电沉积制备Cu2O薄膜，对WS2插层剥离得M‑WS2溶液，将Cu2O薄膜在M‑WS2溶液中制得混合相态硫化钨薄膜层。该电极用于光电催化分解水制备氢气。本发明的优点在于，制备过程简单，制得电极不含贵金属，成本较低，光电析氢效率高。
- 一种高密度孪晶金属材料的制备方法-201610144142.4
- 田翠锋;王萍;刘红梅 - 山西大同大学
- 2016-03-08 - 2018-08-14 - C25D9/04
- 本发明提供了一种高密度孪晶金属材料的制备方法，包括如下步骤，S1：选取具有良好导电性能的金属片，除油、除锈、抛光处理后，用砂纸在所述金属片表面打磨出若干相互平行的凹槽，任意两个凹槽之间为平整凸条，所述凹槽和所述凸条呈周期间隔排列；S2：使用直流电沉积方法，电解液选择高纯水或者金属盐溶液，阴极和阳极皆选用S1中打磨后的金属片，进行电沉积，得到高密度孪晶金属材料。本发明提供的制备方法，工艺简单，成本低，能够获得生长晶界间距为2‑5nm，且分布均匀的高密度孪晶金属材料。
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