[发明专利]一种具有高反射电极的LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201711116212.6 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107863425A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王兵 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/40 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高反射电极的LED芯片的制作方法，包括提供一衬底，在所述衬底表面形成外延层，对所述外延层进行刻蚀，形成裸露区域，在所述裸露区域的第一半导体层上形成第一电极，在所述第二半导体层上形成第二电极，所述第一电极包括依次设于第一半导体层上的Al层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层，所述第二电极包括依次设于所述第二半导体层上的Al层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层。本发明使用Al层作为底层，不仅减少了一层Cr层，简化工艺，降低成本。此外，Al层的反射率较Cr层高，从而提高了芯片的出光效率。进一步地，由于Cr的导电性能优于Al，因此在所述Al层上先形成一层Ti层，然后形成一层Cr层，从而提高了电极的导电性能，减低芯片的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 反射 电极 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有高反射电极的LED芯片制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底表面形成外延层，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层；对所述外延层进行刻蚀，形成裸露区域，所述裸露区域贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层；在所述裸露区域的第一半导体层上形成第一电极，在所述第二半导体层上形成第二电极，所述第一电极包括依次设于第一半导体层上的Al层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层，所述第二电极包括依次设于所述第二半导体层上的Al层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层。
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