[发明专利]一种具有高反射电极的LED芯片及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种具有高反射电极的LED芯片及其制作方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

现有的LED芯片由于电极形成在发光层的表面，吸收了部分发光层发出的光线，从而降低了LED芯片的出光效率。此外，现有的电极一般由Au制作而成，由于Au与外延层之间具有一定的差异，现有工艺是将Cr层作为电极的底层，然后在Cr层上形成Al层、Ti层、Cr层、Pt层等，最后形成Au层。但现有的电极形成工艺复杂，生产成本高，且Cr层的反射率低，影响芯片的出光效率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种具有高反射电极的LED芯片及其制作方法，提高LED芯片的出光效率，降低生产成本。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种具有高反射电极的LED芯片制作方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底表面形成外延层，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层；

对所述外延层进行刻蚀，形成裸露区域，所述裸露区域贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层；

在所述裸露区域的第一半导体层上形成第一电极，在所述第二半导体层上形成第二电极，所述第一电极包括依次设于第一半导体层上的Al层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层，所述第二电极包括依次设于所述第二半导体层上的Al层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层。

作为上述方案的改进，所述Al层的厚度为1000-2000埃，所述Ti层的厚度为500-700埃，所述Cr层的厚度为300-500埃，所述Pt层的厚度为600-1500埃，所述Au层的厚度为8000-12000埃。

作为上述方案的改进，所述Al层的厚度为1200-1800埃，所述Ti层的厚度为550-650埃，所述Cr层的厚度为350-450埃，所述Pt层的厚度为700-1300埃，所述Au层的厚度为9000-11000埃。

作为上述方案的改进，所述Al层的厚度为1100埃，所述Ti层的厚度为520埃，所述Cr层的厚度为350埃，所述Pt层的厚度为700埃，所述Au层的厚度为8800埃。

作为上述方案的改进，所述Al层的厚度为1600埃，所述Ti层的厚度为660埃，所述Cr层的厚度为440埃，所述Pt层的厚度为780埃，所述Au层的厚度为9800埃。

作为上述方案的改进，所述Al层的厚度为1500埃，所述Ti层的厚度为600埃，所述Cr层的厚度为480埃，所述Pt层的厚度为1200埃，所述Au层的厚度为11000埃。

作为上述方案的改进，所述Al层的厚度为1800埃，所述Ti层的厚度为680埃，所述Cr层的厚度为320埃，所述Pt层的厚度为1400埃，所述Au层的厚度为12000埃。

作为上述方案的改进，采用光刻胶或SiO₂作为掩膜，并采用电感耦合等离子体刻蚀工艺或反应离子刻蚀刻蚀工艺对所述外延层进行刻蚀，贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层，将所述第一半导体层裸露出来，形成裸露区域。

作为上述方案的改进，所述裸露区域的形状为倒梯形。

相应地，本发明还提供了一种具有高反射电极的LED芯片，包括：

衬底；

设于所述衬底上的第一半导体层；

设于所述第一半导体层上的有源层和第一电极；

设于所述有源层上的第二半导体层；

设于所述第二半导体层上的第二电极；

所述第一电极包括依次设于第一半导体层上的Al层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层，所述第二电极包括依次设于所述第二半导体层上的Al层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层。

实施本发明，具有如下有益效果：