[发明专利]一种原位MIS栅结构常关型GaN基晶体管及制备方法

摘要

本发明涉及半导体器件领域，公开了一种原位MIS栅结构常关型GaN基晶体管及制备方法，具体涉及MIS界面的改进方法，该器件包括衬底及衬底上的外延层、栅介质层、源极、漏极、栅极。所述外延层包括应力缓冲层、GaN层及AlGaN势垒层，通过刻蚀形成凹槽栅结构。其上选择区域二次外延GaN层及SiN介质层，形成原位生长的GaN/SiN界面。再沉积栅极金属覆盖于凹槽沟道栅介质层上，栅极两端覆盖金属形成源极和漏极。本发明器件结构和制备工艺简单可靠，能形成高质量的MIS栅界面，降低MIS栅界面的电子俘获和散射效应，从而提高器件的性能，尤其对沟道电阻的降低以及阈值电压稳定性问题的改善十分关键。

主权项

一种原位MIS栅结构常关型GaN基晶体管，其特征在于，由下往上依次包括衬底(1)，应力缓冲层(2)，GaN外延层(3)，AlGaN外延层(4)，SiO2钝化层(5)，原位二次外延层GaN(6)/SiN层(7)，两端形成源极(8)和漏极(9)，凹槽沟道处的绝缘层上覆盖有栅极(10)。