[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201711092274.8 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109585291A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 沙哈吉·B·摩尔;李承翰;潘正扬;王俊杰;张世杰;杨怀德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例描述形成p型完全应变沟道或n型完全应变沟道的例示性方法，其可减少因工艺造成沟道区中的外延成长缺陷或结构变形。例示性方法可包含(i)搭配三氟化氮与氨的等离子体的两个或多个表面预清洁处理循环，之后进行热处理；(ii)预烘烤；以及(iii)搭配硅籽晶层、硅锗籽晶层、或上述的组合外延成长硅锗。 | ||
| 搜索关键词： | 应变沟道 硅锗 搭配 等离子体 半导体结构 热处理 成长缺陷 处理循环 硅籽晶层 结构变形 三氟化氮 沟道区 预烘烤 预清洁 籽晶层 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，包括：提供一掺杂区于一基板的顶部上；成长一第一外延层于该掺杂区上；形成一凹陷于该第一外延层中，且该凹陷对准该掺杂区，其中形成该凹陷的步骤包括部分蚀刻该第一外延层；进行一或多道的表面预清洁处理循环，其中每一表面预清洁处理循环包括：暴露该凹陷至一等离子体；以及进行一回火；以及形成一第二外延层于该凹陷中，其中形成该第二外延层的步骤包括：在一第一温度下进行预烘烤；在一第二温度下形成一籽晶层于该凹陷中；以及在一第三温度下形成该第二外延层于该籽晶层上，以填满该凹陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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