[发明专利]单晶铟纳米线的制备方法及其产品和应用有效

专利信息
申请号: 201711085500.X 申请日: 2017-11-07
公开(公告)号: CN107841791B 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 何丹农;卢静;涂兴龙;金彩虹 申请(专利权)人: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
主分类号: C30B29/60 分类号: C30B29/60;C30B29/02;C30B7/14
代理公司: 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 代理人: 董梅
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种单晶铟纳米线的制备方法及其产品和应用,本发明以锌片和铟源为前驱体,以硫源为辅助剂,通过控制溶剂热的温度和时间,即可制备出由一层硫化物包裹的单晶铟纳米线。本发明通过溶剂热法大批量制备出单晶铟纳米线的长度为100‑300μm,平均直径约为200nm,具有极高的长径比。并且该制备过程具有简单,安全可靠,无毒无污染,成本较低和可重复性性好等优点。生成的铟纳米线经盐酸腐蚀去掉表面硫化物后,可进一步合成为In2O3,In2S3,InP,InAs等半导体,这些化合物在各种合金的制造、半导体材料的合成、红外线检测器等领域都具有巨大的应用前景。
搜索关键词: 单晶铟 纳米 制备 方法 及其 产品 应用
【主权项】:
一种单晶铟纳米线的制备方法,其特征在于,该方法采用以下步骤:(1)先把裁剪好的锌片进行一定程度的打磨,去除表面的氧化层,并清晰干燥放入到反应釜内胆中;(2)将铟源和硫源辅助剂按照一定的摩尔比混合加入到有机溶剂中,然后进行搅拌或超声溶解,配成一定浓度的均匀溶液并放入反应釜中;(3)将反应釜密封,控制温度160~220℃,反应时间20~40分钟;反应结束后,反应釜自然冷却至室温,取出样品后清洗干燥,即可得到在锌片上均匀生长的单晶铟纳米线。
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