[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711077862.4 | 申请日： | 2017-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN108022873B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王维一;博尔纳·J·奥布拉多维奇;马克·S·罗德尔;帝泰什·拉克西特;克里斯·鲍温 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：一系列金属布线层以及位于金属布线层中的上金属布线层上的互补成对的平面场效应晶体管(FET)。上金属布线层为M3或比M3更高的层。每个FET包括结晶材料的沟道区。结晶材料可以包括多晶硅。上金属布线层M3或比M3更高的层可以包括钴。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：金属布线层M1至Ma，a为选自4或更大的整数；以及互补成对的平面场效应晶体管，位于金属布线层Mb上，b小于a并选自3或更大，其中，所述互补成对的平面场效应晶体管中的每个场效应晶体管包括由多晶材料形成的沟道区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
