[发明专利]发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法

摘要

本发明涉及一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，包括：硅片单面制绒，制绒面制备隧穿氧化层SiO₂及掺P多晶硅层形成N⁺发射结，选择性刻蚀去掉背面绕度掺P多晶硅层，对正面磷掺杂多晶硅层进行激活，在发射结表面进行选择性掺杂，硅片背面经过沉积AL₂O₃层，硅片正面及背面沉积氢化非晶氮化硅钝化减反射层，对背面钝化层进行选择性图形化开膜，通过丝网印刷背面铝电场、背电极及正面金属电极栅线，形成正背面电极金属化欧姆接触。与现有技术相比，本发明改善了现有单晶PERC电池的发射结表面复合，大幅提升电池Voc，兼容现有PERC量产路径，是下一代高效单晶PERC电池的重点开发方向。

主权项

1.一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将硅片在碱制绒槽中去除损伤层并进行表面抛光、正面制绒，形成1μm‑6μm高的金字塔绒面，即硅片制绒面；(2)在硅片制绒面依次制备隧穿氧化层SiO₂及掺P多晶硅层形成N⁺发射结；(3)采用湿法化学处理进行选择性刻蚀，去掉硅片背面绕镀的掺P多晶硅层；(4)高温退火处理，对硅片正面的掺P多晶硅层中的磷元素进行激活；(5)采用激光掺杂的方式，在硅片正面掺P多晶硅层及隧穿氧化层SiO₂上进行选择性掺杂，形成选择性掺杂区域；(6)在硅片背面经过ALD或PECVD的方式沉积5‑20nm厚的AL₂O₃层；(7)硅片正面及背面沉积氢化非晶氮化硅钝化减反射层；(8)采用ns激光对硅片背面氢化非晶氮化硅钝化减反射层进行选择性图形化开膜；(9)通过丝网印刷背面铝背场、背电极及正面金属电极栅线，形成正背面电极金属化欧姆接触即可。