[发明专利]发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法

权利要求书

1.一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将硅片在碱制绒槽中去除损伤层并进行表面抛光、正面制绒，形成1μm-6μm高的金字塔绒面，即硅片制绒面；

(2)在硅片制绒面依次制备隧穿氧化层SiO₂及掺P多晶硅层形成N⁺发射结；

(3)采用湿法化学处理进行选择性刻蚀，去掉硅片背面绕镀的掺P多晶硅层；

(4)高温退火处理，对硅片正面的掺P多晶硅层中的磷元素进行激活；

(5)采用激光掺杂的方式，在硅片正面掺P多晶硅层及隧穿氧化层SiO₂上进行选择性掺杂，形成选择性掺杂区域；

(6)在硅片背面经过ALD或PECVD的方式沉积5-20nm厚的AL₂O₃层；

(7)硅片正面及背面沉积氢化非晶氮化硅钝化减反射层；

(8)采用ns激光对硅片背面氢化非晶氮化硅钝化减反射层进行选择性图形化开膜；

(9)通过丝网印刷背面铝背场、背电极及正面金属电极栅线，形成正背面电极金属化欧姆接触即可。

2.根据权利要求1所述的一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，步骤(2)中隧穿氧化层SiO₂为超薄隧穿氧化层SiO₂，厚度为0.5nm-2nm。

3.根据权利要求1所述的一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，步骤(2)中采用湿法氧化或高温热氧化的方法制备隧穿氧化层SiO₂层。

4.根据权利要求1所述的一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，步骤(2)中的掺P多晶硅层采用PECVD的方法以高纯SiH₄为气源在500℃-600℃下制备形成，厚度为10nm-500nm。

5.根据权利要求1所述的一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，步骤(2)中掺P多晶硅层中P原子含量为1×10¹⁹cm^-3-1×10²¹cm^-3。

6.根据权利要求1所述的一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，步骤(3)中，先采用PECVD或APCVD的方法在硅片正面的掺P多晶硅层上沉积氧化物层，保护硅片正面的掺P多晶硅层，然后在弱碱溶液中对硅片背面绕镀的掺P多晶硅层进行选择性蚀刻，再用HF溶液将沉积的氧化物层去掉即可。

7.根据权利要求1所述的一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，步骤(4)中，高温退火处理的温度控制在750-980℃以内，处理时间控制在30-60分钟。

8.根据权利要求1所述的一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，步骤(5)中，所述的选择性掺杂区域的表面掺杂浓度在1e²⁰-1e²¹/cm³，激光掺杂深度在0.4-1.5μm，且激光掺杂宽度在60-200μm范围内。

9.根据权利要求1所述的一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，步骤(9)中背面铝背场、背电极及正面金属电极栅线通过将金属化浆料在峰值烧结温度为500-950℃范围内进行精细共烧结形成。

10.根据权利要求1所述的一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，所述的硅片为P型硅片。