[发明专利]一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法在审
| 申请号： | 201711052356.X | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109727842A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 梁长亮;秦建宝;周硕;李伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆表面上沉积氟掺杂硅氧化膜；以及采用弱酸溶液对所述晶圆的表面执行清洗步骤。本发明所提供的半导体制造方法，采用弱酸溶液对氟掺杂硅氧化膜表面的晶体状缺陷进行清洗，能去除所述氟掺杂硅氧化膜表面产生的晶体状缺陷并进一步防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的继续生长。有效减少了晶圆表面氟离子的数量，使得清洗后的晶圆即使长时间暴露在含有水汽的环境中也不会形成晶体状缺陷，进而提高了晶圆的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅氧化膜 氟掺杂 晶体状缺陷 晶圆 清洗 晶圆表面 弱酸溶液 晶状 半导体制造 有效减少 水汽 氟离子 良率 沉积 去除 暴露 生长 | ||
【主权项】：
1.一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆表面上沉积氟掺杂硅氧化膜；以及采用弱酸溶液对所述晶圆的表面执行清洗步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
