[发明专利]一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法

说明书

本发明提供一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆表面上沉积氟掺杂硅氧化膜；以及采用弱酸溶液对所述晶圆的表面执行清洗步骤。本发明所提供的半导体制造方法，采用弱酸溶液对氟掺杂硅氧化膜表面的晶体状缺陷进行清洗，能去除所述氟掺杂硅氧化膜表面产生的晶体状缺陷并进一步防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的继续生长。有效减少了晶圆表面氟离子的数量，使得清洗后的晶圆即使长时间暴露在含有水汽的环境中也不会形成晶体状缺陷，进而提高了晶圆的良率。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体而言涉及一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法。

背景技术

在半导体器件制造工艺中，当表面淀积有氟掺杂硅氧化膜的晶圆暴露在含有水汽的环境中时，晶圆的表面容易形成晶状体的沉淀物，且随着时间的推移，沉淀物会越来越多，从而在硅氧化膜表面形成严重的晶体状缺陷，同时会腐蚀相邻的金属线，最终影响了晶圆的良率。

为了减少晶体状缺陷的产生，目前的方法是尽可能缩短氟掺杂硅氧化膜淀积后后一道工序之间的等待时间(Q-time)，一般将该时间控制在3小时以内。然而，对于大批量生产而言，Q-time的长短是很难控制的，因此在实际应用中还是无法避免晶体状缺陷的产生。

因此，有必要提供一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法，以至少部分地解决目前所存在的问题。

发明内容

针对上述问题，一方面，本发明提供一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供晶圆，在所述晶圆表面上沉积氟掺杂硅氧化膜；以及

采用弱酸溶液对所述晶圆的表面执行清洗步骤。

在本发明的一个实施例中，所述弱酸溶液的PH值介于5-7之间。

在本发明的一个实施例中，所述弱酸溶液的PH值介于6-7之间。

在本发明的一个实施例中，所述弱酸溶液为碳酸溶液。

在本发明的一个实施例中，所述氟掺杂硅氧化膜包括氟硅玻璃或SiON-F。

在本发明的一个实施例中，将所述晶圆置于晶圆清洗装置中以执行所述清洗步骤。

在本发明的一个实施例中，所述晶圆清洗装置包括晶圆旋干机、晶圆清洗槽或晶圆擦洗装置。

在本发明的一个实施例中，所述氟掺杂硅氧化膜为金属间介电绝缘层。

在本发明的一个实施例中，所述沉积为化学气相沉积。

本发明所提供的半导体制造方法，采用弱酸溶液对氟掺杂硅氧化膜表面的晶体状缺陷进行清洗，能去除所述氟掺杂硅氧化膜表面产生的晶体状缺陷并进一步防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的继续生长。有效减少了晶圆表面氟离子的数量，使得清洗后的晶圆即使长时间暴露在含有水汽的环境中也不会形成晶体状缺陷。进而提高了晶圆的良率。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1示出根据本发明实施例的防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法的示意性流程图；以及

图2示出根据本发明实施例的清洗前、后的氟掺杂硅氧化膜表面的缺陷的颗数随着时间的变化情况。

具体实施方式