[发明专利]一种集成电路封装键合前等离子清洗方法及装置在审
申请号: | 201711042411.7 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN107845568A | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | 章建声;张成;黄迅驹;张青云 | 申请(专利权)人: | 浙江华越芯装电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/673;H01J37/32 |
代理公司: | 绍兴市越兴专利事务所(普通合伙)33220 | 代理人: | 蒋卫东 |
地址: | 312000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种集成电路封装键合前等离子清洗方法及装置,所述装置包括等离子清洗机,所述等离子清洗机设有高频电源系统、自动控制系统,以及真空室,所述真空室分别与氩氢混合气源、氮气气源相连通,所述真空室通过泵体系统进行内部空气抽取。所述清洗方法包括抽真空,充入氩氢混合气,等离子清洗,充入氮气等步骤。本发明所述的等离子清洗方法和装置,具有清洗高效、快速,清洗成本低等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 集成电路 封装 键合前 等离子 清洗 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种集成电路封装键合前等离子清洗方法,其特征在于包括如下步骤:步骤1、将待清洗集成电路产品放入镂空料盒中备用;步骤2、开启等离子清洗机电源、氩氢混合气源、以及其他相关动力源,初始化清洗程序;步骤3、将步骤1的镂空料盒整盒放入真空室中;步骤4、选择对应清洗程序开始清洗,对真空室进行快速抽真空至设定值,然后充入氩氢混合气并将真空度保持在设定范围;步骤5、开启高频电源,使真空室内的气体电离,产生等离子在真空室内对集成电路产品进行清洗;步骤6、达到设定的清洗时间后,关闭高频电源,向真空室充入氮气,真空室内气压达到常压后发出提示信号,清洗结束。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江华越芯装电子股份有限公司,未经浙江华越芯装电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711042411.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多种液体原料自动配肥和检测系统
- 下一篇:一种除气机控制装置和除气系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造