[发明专利]半导体器件和电子设备在审
申请号: | 201711039489.3 | 申请日: | 2013-01-25 |
公开(公告)号: | CN107833898A | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 小林正治;工藤义治;佐野拓也 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0232 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 张晓明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种半导体器件和电子设备,其使得能够提供能够最小化由于漏入的光而生成的噪声的半导体器件。配置该半导体器件,以便提供有光接收元件(34)、用于信号处理的有源元件、以及光接收元件(34)和有源元件之间的、由在有源元件之上提供覆盖的布线(45、46)构成的光遮挡结构。半导体器件进一步提供有例如其上形成光接收元件的第一基底、其上形成有源元件第二基底、以及具有在第二基底上由布线构成的光遮挡结构的布线层。第二基底可以经由布线层连接到第一基底。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 电子设备 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:第一基底,包含在第一半导体基底中的光接收元件;以及第二基底,堆叠在所述第一基底上,包含在第一方向上的有源元件,以及在所述光接收原件和所述有源元件之间的光遮挡结构;其中缓冲区在所述有源元件的两侧,所述缓冲区的宽度比从所述有源元件到所述光遮挡结构的距离更宽,其中,在截面图中,所述光遮挡结构包含第一布线层中的第一布线和第二布线,以及第二布线层中的第三布线,布线间区域布置在所述第一布线和所述第二布线之间,并且布置在所述有源元件上方,所述第三布线覆盖所述布线间区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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