[发明专利]半导体器件和电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一基底，包含在第一半导体基底中的光接收元件；以及

第二基底，堆叠在所述第一基底上，包含在第一方向上的有源元件，以及在所述光接收原件和所述有源元件之间的光遮挡结构；

其中缓冲区在所述有源元件的两侧，所述缓冲区的宽度比从所述有源元件到所述光遮挡结构的距离更宽，

其中，在截面图中，所述光遮挡结构包含第一布线层中的第一布线和第二布线，以及第二布线层中的第三布线，布线间区域布置在所述第一布线和所述第二布线之间，并且布置在所述有源元件上方，所述第三布线覆盖所述布线间区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二半导体基底通过所述光遮挡结构结合到所述第一半导体基底。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二布线的原点来自所述第一布线的分支点，并且所述光遮挡结构具有所述第一布线的一部分和所述第二布线的一部分，并且所述第一布线的一部分和所述第二布线的一部分相互平行。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二半导体基底的所述有源元件分为多个电路块，

其中对应于所述多个电路块的电路块的区域定义为光遮挡目标区域，并且

其中所述多个电路块之间的区域定义为光遮挡非目标区域。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述光接收元件是光电转换元件。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述光接收元件是具有对于光噪声的高灵敏度的高灵敏度模拟元件。

7.根据权利要求1所述的电子设备。

8.一种半导体器件，包括：

下布线的层，其在光遮挡结构中；

上层布线的层，其在所述光遮挡结构中；

第一有源元件，其在半导体基底的第一光遮挡目标区域中；以及

缓冲区，其在所述第一有源元件的两侧，其中所述缓冲区的宽度比从所述第一有源元件到所述光遮挡结构的距离更宽。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述光遮挡结构的截面图的第一方向上的布线间距离是所述下布线的所述层和所述上布线的所述层之间的间隙，其中所述上布线的所述第一布线通过重叠量覆盖所述下布线的所述第一布线的所述第一部分，所述重叠量至少大于所述布线间距离。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中在所述光遮挡结构的所述截面图中，在所述上布线的所述第一布线和所述上布线的所述第二布线之间绝缘。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述截面图中的开口宽度是所述下布线的所述第一布线与所述下布线的所述第二布线之间的间隙。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：

在光学元件和所述上布线的所述层之间的光接收元件。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述光接收元件是光电二极管。

14.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中所述下布线的所述层在所述第一有源元件和所述上层布线的所述层之间。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中所述半导体基底的光遮挡非目标区域是在所述半导体基底的所述第一光遮挡目标区域和所述第二光遮挡目标区域之间。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，还包括：

在所述第二光遮挡目标区域中的第二有源元件。

17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中

层间距离是从所述第一有源元件到所述光遮挡结构的长度，并且缓冲区宽度是从所述第一有源元件到所述光遮挡非目标区域的距离，所述缓冲区宽度比所述层间距离大。

18.根据权利要求8所述的电子设备。