[发明专利]半导体器件和电子设备在审
申请号: | 201711039489.3 | 申请日: | 2013-01-25 |
公开(公告)号: | CN107833898A | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 小林正治;工藤义治;佐野拓也 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0232 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 张晓明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 电子设备 | ||
本分案申请是申请日为2013年1月25日、申请号为201380006945.8、发明名称为“半导体器件和电子设备”的分案申请。
技术领域
本技术涉及半导体器件和电子设备。
背景技术
近年来,电子相机越来越普及,并且因此对于作为电子相机的中心部分的半导体器件(例如,包括光接收元件的固态成像器件(图像传感器))的需求持续增加。用于实现性能方面的高图像质量和高功能性的技术发展持续。另一方面,不但视频相机或便携式相机,而且移动电话、个人数字助理(PDA)、膝上型计算机等普及。随着该普及,为了易于便携,变得需要使得固态成像器件及其各部分更小、更轻、更薄,并且为了广泛使用,使得固态成像器件及其各部分的成本更低。
通常,固态成像器件(例如,MOS型固态成像器件)具有这样的芯片,其中在硅基底上形成光电转换单元或放大器电路以及多层布线层,并且在多层布线层上形成片上微镜头或滤色器。此外,配置固态成像器件具有芯片中的端子。然后,安装有用于处理输出图像的信号处理电路的芯片连接到固态成像器件。
安装有用于处理输出图像的信号处理电路的芯片连接到固态成像器件。由于固态成像器件是多功能的,所以由信号处理电路执行的处理也趋于增加。
为了获得多个这些功能并且使得多个芯片更小,采用了各种技术。例如,通过使用硅封装(SIP)在一个封装中输入多个芯片,执行小型化。在此情况下,存在可以通过组合现有芯片实现小型化的优点;然而,因为芯片之间用于连接的传输距离长,并且快速连接困难,所以存在难以实现快速操作的问题。
另一方面,存在通过将多个芯片相互连接以结合在一起使得快速传输可能的努力(参照PTL 1)。
引用列表
专利文献
PTL 1:日本未审专利申请公开No.2010-245506
发明内容
技术问题
然而,在包括上述光接收元件的半导体器件中,可能由于光的泄露出现噪声。
希望提供一种半导体器件和电子设备,其能够抑制由于光的泄露而出现噪声。
对于问题的解决方案
本发明提供一种半导体器件,包括:光接收元件;用于信号处理的有源元件;以及光遮挡结构,其在所述光接收元件和所述有源元件之间以覆盖所述有源元件,并且由布线形成。
此外,本技术的电子设备包括半导体器件和处理所述半导体器件的输出信号的信号处理电路。
根据本技术的半导体器件可以通过包括在所述光接收元件和所述有源元件之间以覆盖所述有源元件并且由布线形成的光遮挡结构,抑制由于泄露到光接收元件的光导致的噪声的出现。
此外,可能通过使用所述半导体器件配置具有高可靠性的电子设备。
本发明的有益效果
根据本技术,提供一种半导体器件和电子设备,其能够抑制由于光的泄露而出现噪声。
附图说明
图1是示出第一实施例的半导体器件的配置的平面图。
图2(A)和2(B)是示出第一实施例的半导体器件的结构的示意图。
图3是示出第一实施例的半导体器件的配置的截面图。
图4(A)和4(B)是示出电路块的平面布置的视图。图4(C)是示出连接到电路块的晶体管的布线的布置的视图。
图5是示出光遮挡目标区域和缓冲区之间的位置关系的视图。
图6(A)是配置光遮挡结构的布线层的横截面结构。图6(B)是配置光遮挡结构的布线层的平面结构。
图7是示出第二实施例的半导体器件的结构的示意图。
图8是示出电子设备的配置的视图。
具体实施方式
下文中,将描述以最佳模式执行本技术的示例,然而,本技术不限于以下示例。
按以下顺序执行描述。
1.半导体器件的概述
2.半导体器件的第一实施例
3.半导体器件的第二实施例
4.半导体器件的修改示例
5.电子设备
<1.半导体器件的概述>
下文中,将使用固态成像器件的示例描述半导体器件的概述。
通常,采用各种技术以获得多种功能,并且使得固态成像器件中的多个元件小。例如,开始了通过将多个基底相互连接以结合在一起,以使得快速传输可能的努力。然而,在此情况下,在近距离形成转换元件部分和外围电路部分,使得图像传感器的特性问题出现。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的