[发明专利]一种MEMS器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201711037349.2 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109721021B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS器件及制备方法、电子装置。所述MEMS器件包括：振动膜；背板，位于所述振动膜的上方；空腔，位于所述振动膜和所述背板之间；牺牲层，位于所述振动膜和所述背板之间并且位于所述空腔的外侧；其中，所述牺牲层呈锥体，所述锥体中靠近所述空腔并且与所述背板相接触的一端的顶角缺失。本发明所述结构避免了在空气压力测试(Air Pressure Test，APT)中所述背板发生碎裂的问题。本发明所述方法没有增加光罩，没有增加成本，提高了MEMS器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：振动膜；背板，位于所述振动膜的上方；空腔，位于所述振动膜和所述背板之间；牺牲层，位于所述振动膜和所述背板之间并且位于所述空腔的外侧；其中，所述牺牲层呈锥体，所述锥体中靠近所述空腔并且与所述背板相接触的一端的顶角缺失。
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