[发明专利]一种MEMS器件及制备方法、电子装置有效
申请号: | 201711037349.2 | 申请日: | 2017-10-30 |
公开(公告)号: | CN109721021B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 王强 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | B81B3/00 | 分类号: | B81B3/00;B81C1/00 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 高伟;冯永贞 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mems 器件 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种MEMS器件,其特征在于,所述MEMS器件包括:
振动膜;
背板,位于所述振动膜的上方;
空腔,位于所述振动膜和所述背板之间;
牺牲层,位于所述振动膜和所述背板之间并且位于所述空腔的外侧;
其中,所述牺牲层呈锥体,所述锥体中靠近所述空腔并且与所述背板相接触的一端的顶角缺失;
所述背板位于所述顶角缺失部位上方的边缘位置还进一步设置有由所述边缘位置向外延伸的扩展区域,用于增加所述背板在所述顶角缺失部位的边缘平滑程度。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件,其特征在于,所述顶角缺失部位的形状为向远离所述空腔方向凹陷的凹槽。
3.根据权利要求2所述的MEMS器件,其特征在于,所述凹槽的表面和所述背板的表面之间的夹角为钝角。
4.根据权利要求2所述的MEMS器件,其特征在于,在所述背板位于所述顶角缺失部位上方的区域中设置有释放孔,用于去除所述锥体中与所述背板相接触的一端的顶角。
5.一种MEMS器件的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
形成振动膜;
在所述振动膜上形成牺牲层;
在所述牺牲层上形成背板;
在所述背板上形成穿透所述背板的若干声孔和位于所述声孔外侧的若干释放孔;
去除所述声孔下方的所述牺牲层,以在所述振动膜和所述背板之间形成空腔,同时去除所述释放孔下方剩余的所述牺牲层中靠近所述空腔并且与所述背板相接触的一端的顶角;
所述背板位于所述顶角缺失部位上方的边缘位置还进一步设置有由所述边缘位置向外延伸的扩展区域,用于增加所述背板在所述顶角缺失部位的边缘平滑程度。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,去除所述顶角部位的形状为向远离所述空腔方向凹陷的凹槽,所述释放孔位于所述凹槽的上方。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述凹槽的表面和所述背板的表面之间的夹角为钝角。
8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在所述背板上形成所述声孔和所述释放孔的方法包括:
在所述背板上形成光刻胶层;
提供光罩,在所述光罩上形成有与所述声孔和所述释放孔对应的掩膜图案;
选用所述光罩对所述光刻胶层进行曝光、显影,以在所述光刻胶层中形成所述掩膜图案;
以所述光刻胶层为掩膜蚀刻所述背板,以形成所述声孔和所述释放孔。
9.一种电子装置,其特征在于,所述电子装置包括权利要求1至4之一所述的MEMS器件。
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