[发明专利]一种制备金刚线切割的多晶电池片的方法

摘要

本发明公开了一种制备金刚线切割的多晶电池片的方法，包括以下步骤S1、多晶硅片的常规表面清洗、晒干；S2、使用多晶添加剂和氢氧化钠的碱性混合溶液对处理后的多晶硅片进行腐蚀处理；S3、使用氢氟酸和硝酸银的混合溶液在多晶硅片表面反应形成一层银颗粒；S4、使用氢氟酸和双氧水的混合溶液在多晶硅片表面反应形成微纳米结构的黑绒面；S5、使用氢氟酸和硝酸的酸性混合溶液在处理后的多晶硅片表面反应形成600‑700nm蜂窝状的凹凸结构；S6、使用氨水和双氧水的混合溶液处理完成的多晶硅片表面，去除银离子；S7、去离子水清洗并风干。本方案具有制备步骤较少，能大规模生产的同时生产成本较低、生产周期较短等优点。

主权项

一种制备金刚线切割的多晶电池片的方法，其特征在于，依次包括以下步骤：S1、多晶硅片的常规表面清洗、晒干；S2、使用多晶添加剂和氢氧化钠的碱性混合溶液对处理后的多晶硅片进行腐蚀处理；S3、使用氢氟酸和硝酸银的混合溶液在多晶硅片表面反应形成一层银颗粒；S4、使用氢氟酸和双氧水的混合溶液在多晶硅片表面反应形成微纳米结构的黑绒面；S5、使用氢氟酸和硝酸的酸性混合溶液在处理后的多晶硅片表面反应形成600‑700nm蜂窝状的凹凸结构；S6、使用氨水和双氧水的混合溶液处理完成的多晶硅片表面，去除银离子；S7、去离子水清洗并风干处理完成的多晶硅片表面。