[发明专利]一种制备金刚线切割的多晶电池片的方法

说明书

技术领域

本发明涉及电池板技术领域，具体为一种制备金刚线切割的多晶电池片的方法。

背景技术

随着全球经济的发展，能源的消耗急剧增长，绝大多数能源是化石燃料，不仅资源日渐减少，而且大量二氧化碳等气体排放，使环境问题日益严重。长期以来，多晶太阳电池表面反射率较高的难题一直得不到有效解决，制约了电池效率的进一步提升。传统技术中产出的多晶电池片生产成本极高、产出的电池片折射率较高，不利于如今在产能需求日益提升的时候进行大规模生产，而小规模生产的工艺水平较低，并不能达到大部分市场的需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种制备金刚线切割的多晶电池片的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种制备金刚线切割的多晶电池片的方法，依次包括以下步骤：

S1、多晶硅片的常规表面清洗、晒干；

S2、使用多晶添加剂和氢氧化钠的碱性混合溶液对处理后的多晶硅片进行腐蚀处理；

S3、使用氢氟酸和硝酸银的混合溶液在多晶硅片表面反应形成一层银颗粒；

S4、使用氢氟酸和双氧水的混合溶液在多晶硅片表面反应形成微纳米结构的黑绒面；

S5、使用氢氟酸和硝酸的酸性混合溶液在处理后的多晶硅片表面反应形成600-700nm蜂窝状的凹凸结构；

S6、使用氨水和双氧水的混合溶液处理完成的多晶硅片表面，去除银离子；

S7、去离子水清洗并风干处理完成的多晶硅片表面。

优选的，步骤S2中多晶添加剂和氢氧化钠的碱性混合溶液中固态氢氧化钠为10％g/L，多晶添加剂体积浓度为1-1.5％，步骤S2的反应处理时间为25-30min，反应温度为80-85℃，减薄量为0.25-0.3g。

优选的，步骤S4中微纳米结构的黑绒面绒面反射率为5％-6％。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明采用特定浓度的碱溶液在特点时间、温度等制备条件下制备出多晶电池片，此过程的制备步骤较少，能大规模生产的同时生产成本较低、生产周期较短，在保证多晶硅片的使用性能的情况下生产效率较高，与此同时，产出的多晶电池片折射率较低，能满足市面上对电池片折射率的要求，相较于传统技术中步骤繁多成本较高的制备方法，本发明的步骤较少、生产速度更快、成本控制更为简单。

附图说明

图1为一种制备金刚线切割的多晶电池片的方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1，本发明提供一种技术方案：一种制备金刚线切割的多晶电池片的方法，依次包括以下步骤：

S1、多晶硅片的常规表面清洗、晒干；

S2、使用多晶添加剂和氢氧化钠的碱性混合溶液对处理后的多晶硅片进行腐蚀处理；

S3、使用氢氟酸和硝酸银的混合溶液在多晶硅片表面反应形成一层银颗粒；

S4、使用氢氟酸和双氧水的混合溶液在多晶硅片表面反应形成微纳米结构的黑绒面；

S5、使用氢氟酸和硝酸的酸性混合溶液在处理后的多晶硅片表面反应形成600-700nm蜂窝状的凹凸结构；

S6、使用氨水和双氧水的混合溶液处理完成的多晶硅片表面，去除银离子；

S7、去离子水清洗并风干处理完成的多晶硅片表面。

在本发明的一个较佳实施例中，步骤S2中多晶添加剂和氢氧化钠的碱性混合溶液中固态氢氧化钠为10％g/L，多晶添加剂体积浓度为1-1.5％，步骤S2的反应处理时间为25-30min，反应温度为80-85℃，减薄量为0.25-0.3g，步骤S4中微纳米结构的黑绒面绒面反射率为5％-6％。。

在经步骤S1-S7进行制绒处理后，多晶电池片再依次经过洗涤银颗粒、扩散、边缘刻蚀、镀减反射膜、印刷烧结等步骤制得最终的多晶电池片，扩散、边缘刻蚀、镀减反射膜、印刷烧结等步骤同现有技术中对多晶硅电池片的制备工艺，以上步骤将多晶电池片自身的反射率和扩散、钝化等工序完美结合，最终产出符合生产目的的折射率较低的多晶电池片。