[发明专利]一种直接合成大颗粒碳化硅粉的方法有效
| 申请号： | 201711034670.5 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN107640773B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 徐所成;徐永宽;李璐杰;张皓;郭森;张政;程红娟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直接合成大颗粒碳化硅粉的方法，步骤是：1、将高纯石墨和高纯硅粉按质量比称量，均匀混合后装入石墨坩埚中；2、将装有高纯石墨和高纯硅粉的石墨坩埚盖上石墨结晶板后放入感应炉中抽真空；3、迅速升温，充入气体并保温；4、将温度迅速升至1800‑2300℃，压力为10‑50mbar，升温速率为10‑30℃/min，保温2‑10小时；5、取出石墨结晶板并粉碎，即得到石墨结晶板孔洞中的大颗粒碳化硅粉；石墨结晶板厚度为10‑30mm，石墨结晶板上均匀打有直径为5‑20mm的孔。采用本方法直接合成大颗粒碳化硅粉，从而满足了生长高质量碳化硅单晶的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 合成 颗粒 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
一种直接合成大颗粒碳化硅粉的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：将高纯石墨和高纯硅粉按质量比为1:2‑1:2.5称量，均匀混合后装入石墨坩埚中；步骤二：将装有高纯石墨和高纯硅粉的石墨坩埚盖上石墨结晶板后放入感应炉中，抽真空4‑10小时，真空度达到10‑5mbar；步骤三：将温度迅速升至1300‑1600℃，充入氩气或氩气和氢气的混合气体，氩气流量为0.1‑5L/min，氢气流量为0‑1L/min，压力为300‑500mbar，并保温2‑4小时；步骤四：将温度迅速升至1800‑2300℃，压力为10‑50mbar，升温速率为10‑30℃/min，保温2‑10小时；步骤五：取出石墨结晶板并粉碎，即得到石墨结晶板孔洞中的大颗粒碳化硅粉；所述的石墨结晶板厚度为10‑30mm，石墨结晶板上均匀打有直径为5‑20mm的孔。
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