[发明专利]一种硅片检测方法和硅片检测装置有效
| 申请号： | 201711025953.3 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107845090B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 陈全胜;刘尧平;陈伟;吴俊桃;赵燕;王燕;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G06T7/00 | 分类号： | G06T7/00;G06T5/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;李科 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅片检测方法，包括如下步骤：步骤一：基于硅片的灰度图像中各个像素点的灰度值确定硅片的具体位置，从而得到精准的待分析硅片图像；步骤二：对所述精准的待分析硅片图像进行灰度值分布统计，和/或计算所述精准的待分析硅片图像中所有像素点的灰度平均值；以及步骤三：基于所述灰度平均值计算硅片的反射率，和/或基于所述灰度值分布统计判定硅片的晶花情况。本发明的硅片检测方法能够量化硅片的外观情况，避免主观判断的差异性，速度快、精度高、重复性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种硅片检测方法，包括如下步骤：步骤一：基于硅片的灰度图像中各个像素点的灰度值确定硅片的具体位置，从而得到精准的待分析硅片图像；步骤二：对所述精准的待分析硅片图像进行灰度值分布统计，和/或计算所述精准的待分析硅片图像中所有像素点的灰度平均值；以及步骤三：基于所述灰度平均值计算硅片的反射率，和/或基于所述灰度值分布统计判定硅片的晶花情况。
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