[发明专利]一种硅片检测方法和硅片检测装置

权利要求书

1.一种硅片检测方法，包括如下步骤：

步骤一：基于硅片的灰度图像中各个像素点的灰度值确定硅片的具体位置，从而得到精准的待分析硅片图像；

步骤二：对所述精准的待分析硅片图像进行灰度值分布统计，和/或计算所述精准的待分析硅片图像中所有像素点的灰度平均值；以及

步骤三：基于所述灰度平均值计算硅片的反射率，和/或基于所述灰度值分布统计判定硅片的晶花情况，

其中，在步骤一中，所述灰度图像由相机直接采集获得，或者将相机采集的彩色图像进行灰度化处理后获得，采用背光源从硅片上方辐照所述硅片，并且所述背光源、所述硅片和所述相机设置在外壳内；

其中，在所述步骤三中，计算硅片反射率包括如下子步骤：

子步骤A：对n张反射率分别为R₁-R_n的已知硅片进行步骤一和步骤二的操作，分别得出n张已知硅片的精准硅片图像中所有像素点的灰度平均值基于n张反射率分别为R₁-R_n的已知硅片拟合反射率与灰度平均值的函数关系式其中，n为大于等于2的整数，R表示硅片的反射率，表示灰度平均值；

子步骤B：根据所述函数关系式计算硅片的反射率；以及

在所述步骤三中，判定硅片的晶花情况包括如下子步骤：

子步骤a：将步骤二所计算的每个灰度值对应的像素点数目占总像素点数目的比值与比值阈值进行比较，低于所述比值阈值的比值对应的灰度值为异常灰度值，高于所述比值阈值的比值所对应的灰度值为正常灰度值；所述比值阈值为0.001；

子步骤b：计算正常灰度值的宽度；以及

子步骤c：将所述宽度与预设标准进行比较，判断硅片的晶花情况；当所述宽度在61-255时，判定硅片晶花情况为不合格。

2.根据权利要求1所述的硅片检测方法，在步骤一中，基于所述灰度图像中各个像素点的灰度值与灰度阈值的比较获取精准的待分析硅片图像。

3.根据权利要求2所述的硅片检测方法，其中，获取精准的待分析硅片图像包括如下子步骤：

1-1：对所述灰度图像的每一行的像素点进行扫描，记录每一行中灰度值低于灰度阈值的像素点的数目，选取其中的最大数目作为行参考数目，将灰度值低于灰度阈值的像素点的数目大于所述行参考数目的某一比例的行作为硅片行；

1-2：对所述灰度图像的每一列的像素点进行扫描，记录每一列中灰度值低于灰度阈值的像素点的数目，选取其中的最大数目作为列参考数目，将灰度值低于灰度阈值的像素点的数目大于所述列参考数目的某一比例的列作为硅片列；

1-3：选取所述硅片行和所述硅片列的共同区域，从而得到所述精准的待分析硅片图像。