[发明专利]一种半导体硅材料中少数载流子寿命的测试方法

摘要

本发明涉及半导体材料测试技术领域，具体涉及一种半导体硅材料中少数载流子寿命的测试方法，在待测试硅材料表面提供一个短波长的稳定光照,使之在硅材料中形成一个有利于阻滞在硅材料体内产生的非平衡少子向硅材料表面扩散的少数载流子分布。测试时使用一束测试光脉冲，在硅材料的体内激发非平衡少数载流子，当测试光脉冲结束后，记录硅材料附加电导率的衰减，以此反映硅材料体内非平衡少数载流子的衰减，经计算得出硅材料中的非平衡少数载流子的复合寿命值τ。该方法的优点：有利于阻止在硅材料体内产生的非平衡少子向硅材料表面的扩散，减少硅材料表面复合对测试结果的影响，待测的硅材料事先无需处理，测试速度快，并有满意的测试准确度。

主权项

1.一种半导体硅材料中少数载流子寿命的测试方法，其特征在于：它包括以下步骤：步骤一、用稳定的短波长偏置光辐照硅材料表面，使之在硅材料表面或表面附近形成一个有利于阻滞在硅材料体内产生的非平衡少子向硅材料表面扩散的少数载流子分布；步骤二、在所述稳定的短波长偏置光的辐照期间，采用一束波长长于偏置光的测试光脉冲照射硅材料，以在硅材料的体内激发非平衡少数载流子；步骤三、所述测试光脉冲结束后，步骤二中在硅材料体内激发出来的非平衡少数载流子会逐渐复合和衰减，导致被测硅材料的附加电导率的衰减。测试和记录由于非平衡少数载流子的复合引起的硅材料的电导率与时间的函数关系曲线；步骤四，根据步骤三测试的非平衡少数载流子的复合引起的硅材料的附加电导率与时间的函数关系曲线，通过ΔP(t)＝(ΔP)0e-t/τ计算得出硅材料中的非平衡少数载流子的复合寿命值τ。