[发明专利]一种半导体硅材料中少数载流子寿命的测试方法

权利要求书

1.一种半导体硅材料中少数载流子寿命的测试方法，其特征在于：它包括以下步骤：

步骤一、用稳定的短波长偏置光辐照硅材料表面，使之在硅材料表面或表面附近形成一个有利于阻滞在硅材料体内产生的非平衡少子向硅材料表面扩散的少数载流子分布；

步骤二、在所述稳定的短波长偏置光的辐照期间，采用一束波长长于偏置光的测试光脉冲照射硅材料，以在硅材料的体内激发非平衡少数载流子；

步骤三、所述测试光脉冲结束后，步骤二中在硅材料体内激发出来的非平衡少数载流子会逐渐复合和衰减，导致被测硅材料的附加电导率的衰减。测试和记录由于非平衡少数载流子的复合引起的硅材料的电导率与时间的函数关系曲线；

步骤四，根据步骤三测试的非平衡少数载流子的复合引起的硅材料的附加电导率与时间的函数关系曲线，通过计算得出硅材料中的非平衡少数载流子的复合寿命值τ；

所述步骤一中，所述短波长偏置光设置为可见光或紫外光；

所述步骤二中，所述测试光脉冲设置为可见光或近红外光；

所述步骤一中，所述短波长偏置光在测试周期中其辐照度和波长是稳定的。

2.根据权利要求1所述的一种半导体硅材料中少数载流子寿命的测试方法，其特征在于：所述硅材料为半导体晶体硅片或晶体硅块料。

3.根据权利要求2所述的一种半导体硅材料中少数载流子寿命的测试方法，其特征在于：所述半导体晶体硅片的表面存在有非晶态硅材料薄层、微米硅材料薄层或纳米硅材料薄层。