[发明专利]在集成电路中形成硅穿孔(TSV)有效
| 申请号： | 201711016614.9 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107993998B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | T·K·努南;陈立 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768;B81B7/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了在集成电路中形成硅穿孔(TSV)。描述具有硅穿孔(TSV)的集成电路基板。TSV是延伸通过其中形成集成电路的硅基板的孔。TSV可以在集成电路基板上形成集成电路之前形成，从而允许使用可以以相对小的尺寸制造的通孔材料。集成电路基板可以与具有微机电系统(MEMS)器件的基板结合。在某些这种情况下，集成电路基板的电路可远离MEMS基板，因为TSV可以提供从集成电路基板的电路侧到MEMS器件的电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 形成 穿孔 tsv | ||
【主权项】：
设备，包括：微机电系统(MEMS)基板，包括MEMS器件；专用集成电路(ASIC)基板，具有器件表面、在所述器件表面对面的背面、所述器件表面上的ASIC、和使所述器件表面连接所述背面的硅穿孔(TSV)；其中所述MEMS基板和ASIC基板结合在所述ASIC基板的背面，使得所述器件表面远离所述MEMS基板。
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