[发明专利]InGaN/AlInN量子阱激光器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种InGaN/AlInN量子阱激光器，由下至上依次包括：衬底、缓冲层、下包覆层、下V型波导层、有源区、电子阻挡层、上V型波导层、上包覆层、欧姆接触层和电极，所述下V型波导层和上V型波导层均为AlGaN材料，所述有源区为InGaN/AlInN量子阱层。所述InGaN/AlInN量子阱激光器以AlGaN材料为波导层、有源区以AlInN材料作为垒层、InGaN作为阱层，降低了材料的晶格失配，有源区中极化现象弱，极化场和腔面损耗小，阀值电流低，量子阱激光器的光学性能优异。

主权项

1.一种InGaN/AlInN量子阱激光器，其特征在于，由下至上依次包括：衬底(1)、缓冲层(2)、下包覆层(3)、下V型波导层(4)、有源区(5)、电子阻挡层(6)、上V型波导层(7)、上包覆层(8)、欧姆接触层(9)和电极(10)，所述下V型波导层(4)和上V型波导层(7)均为AlGaN材料，所述有源区(5)为InGaN/AlInN量子阱层；所述有源区(5)由下至上依次包括Al_xIn_1‑xN垒层(5a)，InGaN阱层(5b)，Al_xIn_1‑xN垒层(5c)，InGaN阱层(5d)，Al_xIn_1‑xN垒层(5e)，其中，Al_xIn_1‑xN垒层中Al的含量为0.15。