[发明专利]一种自催化功能纳米量子线的制备方法有效
| 申请号： | 201711014016.8 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107790736B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 刘翠;赵金星;兰倩;曹元成 | 申请（专利权）人： | 江汉大学 |
| 主分类号： | B22F9/12 | 分类号： | B22F9/12;B22F1/00;H01L31/0304;H01L31/0352;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 42104 武汉开元知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王虹 |
| 地址： | 430056 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自催化功能纳米量子线的制备方法，其特征在于，步骤为：a.MBE设备中，在生长室Si衬底上加入In‑Sb合金液滴活化产生成核位点；b.打开蒸发源In、As和Sb通向生长室的阀门进行纳米线生长，生长完毕同时关闭所有蒸发源，得到InAsSb纳米量子线。创造性采用液滴辅助生长技术进行活化产生成核位点，不需要额外的加入贵重催化剂如Au，从而避免了杂质污染，使得制备的半导体纯度高；制备得到高质量InAsSb纳米量子线，其Sb生长高达16％，所得量子线具有较高的中波红外光转换效率和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 量子线 制备 生长 生长室 蒸发源 成核 活化 位点 红外光转换 功能纳米 合金液滴 杂质污染 纳米线 自催化 衬底 阀门 液滴 催化剂 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种自催化功能纳米量子线的制备方法，其特征在于，步骤为：/na.MBE设备中，在生长室Si衬底上加入In-Sb合金液滴200℃-380℃活化25min-120min产生成核位点，In-Sb合金液滴中Sb的质量百分数为1-5%，In-Sb合金液滴加入量为每1cm
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