[发明专利]GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法

摘要

本发明公开了GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法，所述GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片由下至上依次包括：衬底、缓冲层、AlN/GaN布拉格反射镜、n‑GaN层、下波导层、多量子阱层、上波导层、超晶格电子阻挡层、p‑GaN层，所述超晶格电子阻挡层的材料为Al组分渐变的p‑AlxGa1‑xN/GaN，其中，0x0.5。所述GaN基复合DBR谐振腔激光器由下至上依次包括：所述GaN复合DBR谐振腔激光器外延片、介质膜、ITO电流扩展层、介质膜布拉格反射镜、正电极、负电极。本发明所述GaN基复合DBR谐振腔激光器阀值低、光学损耗低、晶格失配度低，p型层的空穴注入效率高。

主权项

一种GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片，其特征在于，由下至上依次包括：衬底(1)、缓冲层(2)、AlN/GaN布拉格反射镜(3)、n‑GaN层(4)、下波导层(5)、多量子阱层(6)、上波导层(7)、超晶格电子阻挡层(8)、p‑GaN层(9)，所述超晶格电子阻挡层(8)的材料为Al组分渐变的p‑AlxGa1‑xN/GaN，其中，0<x<0.5。