[发明专利]内存晶体管及其形成方法、半导体器件

摘要

本发明提供了一种内存晶体管及其形成方法、半导体器件。通过第二介电层形成于第一沟槽中栅极层上和第一介电层表面上，且第二介质层中具有空腔。因此本发明中的内存晶体管可以有效改善机械应力，并降低热过程对栅极引入的缺陷；而且通过空腔的引入，能够降低寄生电容，从而提高内存晶体管的性能。

主权项

1.一种内存晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；所述衬底还具有第一沟槽，所述第一沟槽的开口形成在所述第一表面上；第一介电层，形成于所述第一沟槽的槽壁表面上；栅极层，形成于所述第一沟槽中的所述第一介电层上，并且所述栅极层的顶表面低于所述第一表面；以及，第二介电层，填充在所述第一沟槽中并位于所述栅极层的所述顶表面上，所述第二介质层覆盖所述栅极层并连接所述第一介电层，并且在所述第二介质层中形成有空腔，所述空腔是由所述第二介质层单独的密封在所述第二介质层中；源极区和漏极区，形成在所述衬底中并延伸至所述衬底的第一表面，并且所述源极区和所述漏极区分别位于所述第一沟槽的两侧，以使所述空腔设置在所述源极区和所述漏极区之间。