[发明专利]一种手性II-VI族半导体纳米晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 201711000112.7 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107699232B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 唐智勇;高小青 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;C09K11/06;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种手性II‑VI族半导体纳米晶体及其制备方法。所述手性II‑VI族半导体纳米晶体由II‑VI族半导体纳米晶体和包裹在所述II‑VI族半导体纳米晶体上的手性氨基酸组成，II‑VI族半导体纳米晶体和手性氨基酸的摩尔比比为4.5:1‑4.5:2。制备方法包括：1)制备II‑VI族半导体纳米晶体；2)将步骤1)得到的半导体纳米晶体在隔绝空气的条件下与除氧后的手性氨基酸在碱性条件下反应，得到手性II‑VI族半导体纳米晶体。本发明提供的手性II‑VI族半导体纳米晶体的光学活性极高，本发明的制备方法操作简单，成本低，制备得到的产品组成、性质多样，应用范围广，有较大的发展空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 手性 ii vi 半导体 纳米 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种手性II‑VI族半导体纳米晶体，其特征在于，所述手性II‑VI族半导体纳米晶体由II‑VI族半导体纳米晶体和包裹在所述II‑VI族半导体纳米晶体上的手性氨基酸组成；所述手性II‑VI族半导体纳米晶体中，II‑VI族半导体纳米晶体和手性氨基酸的摩尔比为4.5:1‑4.5:2。
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