[发明专利]一种手性II-VI族半导体纳米晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 201711000112.7 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107699232B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 唐智勇;高小青 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;C09K11/06;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 手性 ii vi 半导体 纳米 晶体 及其 制备 方法 | ||
1.一种手性II-VI族半导体纳米晶体，其特征在于，所述手性II-VI族半导体纳米晶体由II-VI族半导体纳米晶体和包裹在所述II-VI族半导体纳米晶体上的手性氨基酸组成；所述手性II-VI族半导体纳米晶体中，II-VI族半导体纳米晶体和手性氨基酸的摩尔比为4.5:1-4.5:2；
所述手性II-VI族半导体纳米晶体采用以下方法进行制备：
(1)制备II-VI族半导体纳米晶体；
(2)将步骤(1)得到的所述半导体纳米晶体在隔绝空气的条件下与除氧后的手性氨基酸在碱性条件下进行反应，得到所述手性II-VI族半导体纳米晶体；所述除氧后的手性氨基酸的水溶液的pH为10-14。
2.根据权利要求1所述的手性II-VI族半导体纳米晶体，其特征在于，所述II-VI族半导体纳米晶体为硫化镉、氧化锌或硒化镉中的任意一种。
3.根据权利要求2所述的手性II-VI族半导体纳米晶体，其特征在于，所述II-VI族半导体纳米晶体为硒化镉。
4.根据权利要求1所述的手性II-VI族半导体纳米晶体，其特征在于，所述手性II-VI族半导体纳米晶体的形貌为纳米片、三爪、四爪或锥形中的任意一种或至少两种的组合。
5.根据权利要求4所述的手性II-VI族半导体纳米晶体，其特征在于，所述手性II-VI族半导体纳米晶体的形貌为纳米片。
6.根据权利要求1所述的手性II-VI族半导体纳米晶体，其特征在于，所述手性II-VI族半导体纳米晶体为闪锌矿结构或纤维锌矿结构。
7.根据权利要求6所述的手性II-VI族半导体纳米晶体，其特征在于，所述手性II-VI族半导体纳米晶体为纤维锌矿结构。
8.根据权利要求1所述的手性II-VI族半导体纳米晶体，其特征在于，所述手性II-VI族半导体纳米晶体上包裹的手性氨基酸为含巯基的氨基酸。
9.根据权利要求8所述的手性II-VI族半导体纳米晶体，其特征在于，所述手性II-VI族半导体纳米晶体上包裹的手性氨基酸为胱氨酸、半胱氨酸或青霉胺中的任意一种或至少两种的组合。
10.根据权利要求9所述的手性II-VI族半导体纳米晶体，其特征在于，所述手性II-VI族半导体纳米晶体上包裹的手性氨基酸为半胱氨酸。
11.根据权利要求1所述的手性II-VI族半导体纳米晶体的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)制备II-VI族半导体纳米晶体；
(2)将步骤(1)得到的所述半导体纳米晶体在隔绝空气的条件下与除氧后的手性氨基酸在碱性条件下进行反应，得到所述手性II-VI族半导体纳米晶体；所述除氧后的手性氨基酸的水溶液的pH为10-14。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，步骤(1)包括以下步骤：
(a)制备II副族金属前体：将II副族金属原料、溶剂和配体混合，加热，得到II副族金属前体；
(b)制备VI主族元素前体：将VI主族原料、溶剂和配体混合，得到VI主族元素前体；
(c)合成反应：将VI主族元素前体注入到II副族金属前体中，加热并在保温条件下进行反应，固液分离得到II-VI族半导体纳米晶体。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，步骤(a)中，所述II副族金属原料为氯化镉、氧化镉或醋酸镉中的任意一种或至少两种的组合。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，步骤(a)中，所述II副族金属原料为氯化镉。
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