[发明专利]存储器件及包括该存储器件的半导体封装体有效
| 申请号： | 201710997136.8 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN108062964B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 边相镇 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/02 | 分类号： | G11C29/02;G11C29/42;G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 王建国;厉锦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体封装体包括：彼此层叠的存储器件以及用于存储器件之间的通信的层间通道，其中，每个存储器件包括：数据焊盘；存储核；数据输入/输出电路，经由数据焊盘来输入/输出数据；层间通道传送电路，将来自存储核的读取数据传送给层间通道，以及将经由数据输入/输出电路而输入的数据传送给层间通道；层间通道接收电路，接收层间通道的数据；读取错误校正电路，校正从层间通道接收电路传送来的数据的错误以产生错误校正过的数据，以及将错误校正过的数据传送给数据输入/输出电路；以及写入错误校正电路，基于从层间通道接收电路传送来的数据来产生要储存在存储核中的奇偶校验数据。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 包括 半导体 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装体，包括：经由共同的层间通道以可通信方式耦接的主存储器件和从存储器件；其中，主器件包括：第一数据焊盘；用于储存数据的第一存储核；第一数据输入/输出电路，适用于经由第一数据焊盘将数据传送给主存储器件/从主存储器件传送数据；第一层间通道传送电路，适用于将来自第一存储核的第一读取数据传送给公共的层间通道，以及适用于将来自第一数据输入/输出电路的写入数据传送给公共的层间通道；第一层间通道接收电路，适用于从公共的层间通道接收第一读取数据和写入数据；第一读取错误校正电路，适用于校正从第一层间通道接收电路传送来的第一读取数据的错误以产生错误校正过的第一读取数据，以及适用于将错误校正过的第一读取数据传送给第一数据输入/输出电路；以及其中，从器件包括：用于储存数据的第二存储核；第二层间通道传送电路，适用于将来自第二存储核的第二读取数据传送给公共的层间通道；第二层间通道接收电路，适用于接收公共的层间通道的写入数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710997136.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：过驳平台
- 下一篇：在概率框架内使用传感器融合的物体追踪
