[发明专利]存储器件及包括该存储器件的半导体封装体

说明书

一种半导体封装体包括：彼此层叠的存储器件以及用于存储器件之间的通信的层间通道，其中，每个存储器件包括：数据焊盘；存储核；数据输入/输出电路，经由数据焊盘来输入/输出数据；层间通道传送电路，将来自存储核的读取数据传送给层间通道，以及将经由数据输入/输出电路而输入的数据传送给层间通道；层间通道接收电路，接收层间通道的数据；读取错误校正电路，校正从层间通道接收电路传送来的数据的错误以产生错误校正过的数据，以及将错误校正过的数据传送给数据输入/输出电路；以及写入错误校正电路，基于从层间通道接收电路传送来的数据来产生要储存在存储核中的奇偶校验数据。

技术领域

本发明的示例性实施例总体而言涉及一种存储器件及包括该存储器件的半导体封装体。

背景技术

近来，在几乎所有的电子系统中都使用存储器件。存储器件的容量和数据速率与日俱增。正进行大量的研究以将更多具有更大容量的存储器件安装在较小面积之内，以及有效地驱动存储器件。

此外，为了增加半导体芯片的集成度，存储芯片安放技术正改变成三维(3D)方案，在三维方案中，多个存储芯片可以按照3D结构层叠。通常，3D存储芯片安放方案可以提升半导体芯片的集成度和容量，同时减小芯片尺寸。

3D存储芯片安放方案的一个示例为硅通孔(TSV)方案。TSV方案为诸如传输速率随距离模块上的控制器的距离而退化或者封装上的改变和数据带宽的脆弱性的问题提供解决方案。根据TSV方案，多个层叠的存储芯片经由穿透层叠芯片的路径和形成在路径中的电极来彼此通信。

发明内容

本发明的实施例针对一种包括多个存储器件的半导体封装体中的高效错误校正技术。

在根据本发明的一个实施例中，半导体封装体包括：彼此层叠的多个存储器件以及用于多个存储器件之间的通信的层间通道，其中，多个存储器件中的每个包括：数据焊盘；存储核；数据输入/输出电路，经由数据焊盘来输入/输出数据；层间通道传送电路，将来自存储核的读取数据传送给层间通道，或者将经由数据输入/输出电路而输入的数据传送给层间通道；层间通道接收电路，接收层间通道的数据；读取错误校正电路，校正从层间通道接收电路传送来的数据的错误以产生错误校正过的数据，以及将错误校正过的数据传送给数据输入/输出电路；以及写入错误校正电路，基于从层间通道接收电路传送来的数据来产生要储存在存储核中的奇偶校验数据。

多个存储器件之中的一个存储器件可以为主存储器件，而其他存储器件可以为从存储器件，且主存储器件的数据焊盘可以电连接到半导体封装体的外部中的外部数据线，而从存储器件的数据焊盘可以被禁止。

主存储器件的读取错误校正电路可以被使能，而从存储器件的读取错误校正电路可以被禁止。

当半导体封装体中的多个存储器件执行读取操作时，主存储器件的读取错误校正电路可以执行错误校正操作。

主存储器件的层间通道传送电路可以在半导体封装体中的多个存储器件的写入操作期间将经由数据输入/输出电路而输入的写入数据传送给层间通道。

主存储器件和从存储器件的层间通道传送电路可以在对应的存储器件的读取操作期间将从对应的存储器的存储核读取的读取数据和奇偶校验数据传送给层间通道。

主存储器件的层间通道接收电路可以在半导体封装体中的多个存储器件的读取操作期间从层间通道接收读取数据和奇偶校验数据，以及将读取数据和奇偶校验数据传送给读取错误校正电路。

主存储器件和从存储器件的层间通道接收电路可以在对应的存储器件的写入操作期间接收来自层间通道的写入数据，以及将接收的写入数据传送给对应的存储器件的写入错误校正电路。

当写入错误校正电路所属的存储器件执行写入操作时，写入错误校正电路可以产生奇偶校验数据。