[发明专利]一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710988060.2 | 申请日： | 2017-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107706231B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张新安;刘献省;郑海务;李爽;张朋林;张伟风 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/227;H01L29/24;H01L29/51;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人： | 陈勇 |
| 地址： | 475001 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管，包括衬底、栅电极、绝缘层、有源层和源漏电极，所述绝缘层为掺杂硼或硅的绝缘膜，所述有源层为掺杂硼或硅的半导体薄膜，一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，包括选择重掺杂硅衬底或ITO导电玻璃为衬底，同时作为栅电极；采用磁控溅射法在衬底上制备绝缘层，所述绝缘层为掺杂硼或硅的绝缘膜；采用磁控溅射在绝缘层上制备有源层，所述有源层为掺杂硼或硅的半导体薄膜；采用热蒸发镀膜法在有源层上制备金属Al薄膜作为源漏电极。本发明采用掺杂易与氧空位结合的硼（B）或硅（Si），减少绝缘层和有源层界面处的氧空位，提高薄膜晶体管的稳定性，从而提高器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳定性 氧化物 半导体 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管，包括衬底、栅电极、绝缘层、有源层和源漏电极，其特征在于，所述绝缘层为掺杂硼或硅的绝缘膜，所述有源层为掺杂硼或硅的半导体薄膜。
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