[发明专利]电子枪、掩膜版制备方法及半导体装置有效
| 申请号： | 201710986115.6 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN109698102B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李传 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01J3/02 | 分类号： | H01J3/02;G03F1/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种电子枪，所述电子枪包括：枪体及电子抑制结构，所述枪体具有一发射端，所述电子抑制结构固设于所述发射端，并位于所述发射端的开口的径向外侧，所述电子抑制结构用于在所述电子枪使用时接地，所述枪体产生的电子束自所述发射端发射，所述电子抑制结构吸收所述电子束发射至目标后反弹的电子。于是，借助于所述电子抑制结构，有效改善了电子束经目标后反复反弹的状况，降低了对目标的影响。由此进行的掩膜版制备，可以有效降低电子束对掩膜版的影响，提高掩膜版的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 电子枪 掩膜版 制备 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种电子枪，其特征在于，包括：枪体及电子抑制结构，所述枪体具有一发射端，所述电子抑制结构固设于所述发射端，并位于所述发射端的开口的径向外侧，所述电子抑制结构用于在所述电子枪使用时接地，所述枪体产生的电子束自所述发射端发射，所述电子抑制结构吸收所述电子束发射至目标后反弹的电子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710986115.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种自动更换式高压熔断器
- 下一篇：带电粒子束的流强调节装置
