[发明专利]电子枪、掩膜版制备方法及半导体装置

说明书

本发明揭示了一种电子枪，所述电子枪包括：枪体及电子抑制结构，所述枪体具有一发射端，所述电子抑制结构固设于所述发射端，并位于所述发射端的开口的径向外侧，所述电子抑制结构用于在所述电子枪使用时接地，所述枪体产生的电子束自所述发射端发射，所述电子抑制结构吸收所述电子束发射至目标后反弹的电子。于是，借助于所述电子抑制结构，有效改善了电子束经目标后反复反弹的状况，降低了对目标的影响。由此进行的掩膜版制备，可以有效降低电子束对掩膜版的影响，提高掩膜版的精度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种电子枪、掩膜版制备方法及半导体装置。

背景技术

光刻工艺是半导体制造加工过程中的重要环节之一，其主要过程是借助于精密仪器将制备在掩膜版(亦称为光罩)上的图形经一定倍率后放大至基底上，从而实现电路器件的制备。

由于光刻过程中涉及图形尺寸很小，受光学效应影响的可能性较大，因此，如何使得掩膜版图形更为精确，就成为了业界一直在关注和攻坚的难题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电子枪、掩膜版制备方法及半导体装置，改善电子束对掩膜版的影响，提高掩膜版的质量。

为解决上述技术问题，本发明提供一种电子枪，包括：

枪体及电子抑制结构，所述枪体具有一发射端，所述电子抑制结构固设于所述发射端，并位于所述发射端的开口的径向外侧，所述电子抑制结构用于在所述电子枪使用时接地，所述枪体产生的电子束自所述发射端发射，所述电子抑制结构吸收所述电子束发射至目标后反弹的电子。

可选的，对于所述的电子枪，所述电子抑制结构呈环状，套装于所述发射端。

可选的，对于所述的电子枪，所述电子抑制结构的开口面积大于所述发射端的开口面积。

可选的，对于所述的电子枪，所述电子抑制结构呈圆环状。

可选的，对于所述的电子枪，所述电子抑制结构的内径为5cm～10cm，宽度为1cm～1.5cm。

可选的，对于所述的电子枪，所述电子抑制结构可拆卸安装于所述发射端，或者，所述电子抑制结构永久性安装于所述发射端。

可选的，对于所述的电子枪，所述发射端突出于所述电子抑制结构5cm～10cm。

可选的，对于所述的电子枪，所述电子抑制结构的材质为导体。

可选的，对于所述的电子枪，所述电子抑制结构的材质为碳及其合金中的至少一种。

可选的，对于所述的电子枪，所述电子抑制结构上具有若干沿环绕所述电子束的方向间隔排列的凹陷。

可选的，对于所述的电子枪，所述凹陷朝向所述目标。

可选的，对于所述的电子枪，所述凹陷为凹槽。

本发明还提供一种掩膜版制造方法，利用所述的电子枪进行图形制备。

本发明还提供一种半导体装置，包括所述的电子枪。

本发明提供的电子枪中，所述电子枪包括：枪体及电子抑制结构，所述枪体具有一发射端，所述电子抑制结构固设于所述发射端，并位于所述发射端的开口的径向外侧，所述电子抑制结构用于在所述电子枪使用时接地，所述枪体产生的电子束自所述发射端发射，所述电子抑制结构吸收所述电子束发射至目标后反弹的电子。于是，借助于所述电子抑制结构，有效改善了电子束经目标后反复反弹的状况，降低了对目标的影响。由此进行的掩膜版制备，可以有效降低电子束对掩膜版的影响，提高掩膜版的精度。

附图说明

图1为一种掩膜版的示意图；

图2为一种电子枪对掩膜版进行加工时的示意图；