[发明专利]可提高写入效能的非易失性存储单元

摘要

本发明公开了一种非易失性存储单元，包含一选择栅极晶体管、一跟随栅极晶体管及一逆熔丝可变电容，耦合串接在有源区域上；一第一离子井及一第二离子井，具有第一导电型，设于有源区域，其中跟随栅极晶体管与第一离子井部分重叠，其中第二离子井的掺杂浓度小于第一离子井的掺杂浓度。

主权项

1.一种非易失性存储单元，其特征在于，包含：一硅衬底，具有一第一导电型，其中所述硅衬底包含一有源区域，被一沟道绝缘区域围绕；一选择栅极晶体管、一跟随栅极晶体管及一逆熔丝可变电容，耦合串接在所述有源区域上，其中所述跟随栅极晶体管设置在所述选择栅极晶体管与所述逆熔丝可变电容中间；一第一离子井，具有所述第一导电型，设于所述有源区域，其中所述跟随栅极晶体管与所述第一离子井部分重叠；以及一第二离子井，具有所述第一导电型，设于所述有源区域并与所述第一离子井相连，其中所述第二离子井的掺杂浓度小于所述第一离子井的掺杂浓度。